操作演示：BALLUFF巴鲁夫传感器BMF000F

产品介绍：
磁场传感器是可以将各种磁场及其变化的量转变成电信号
输出的装置。自然界和人类社会生活的许多地方都存在磁
中，磁场传感器已成为信息技术和信息产业中不可缺少的
基础元件。目前，人们已研制出利用各种物理、化学和生
场或与磁场相关的信息。利用人工设置的长久磁体产生的
储、转换、复现和监控各种磁场和磁场中承载的各种信息
的任务，自然就落在磁场传感器身上。在当今的信息社会
磁场， 可作为许多种信息的载体。因此，探测、采集、存
物效应的磁场传感器，并已在科研、和社会生活的各
个方面得到广泛应用，承担起探究种种信息的任务。

参数：
安装端子
工作电压Ub10...30 VDC
外壳材料黄铜
开关量输出PNP常开触点(NO)
應用分類 DC -13
接通延時 ton，大值 0.05 ms
換接頻率 10000 Hz
大餘波（Ue 的 %） 15 %
开关频率10000 Hz
环境温度-25...85 °C
大剩餘電流 lr 80 μA
大空載電流 Io，未衰減 10 mA
防护等级IP67

磁阻传感器：
磁阻传感器，磁敏二极管等是继霍尔传感器后派生出的另
一种磁敏传感器。采用的半导体材料于霍尔大体 相同。但
不同，因此，早期的产品为单只磁敏电阻。由于温度漂移
大，现在多制成单臂(两只磁敏电阻串联)主要是为补偿温
这种传感器对磁场的作用机理不同，传感器内载流子运动
方向与被检磁场在一平面内。(顺便提醒一点，霍尔效应于
式中，互为非线性项)。在磁阻器件应用中，温度漂移的控
制也是主要矛盾，在器件制 备方面，磁阻器件由于与霍尔
磁阻效应是并存的。在制造霍尔器件时 应努力减少磁阻效
应的影响，而制造磁阻器件时努力避免霍尔效应(在计算公
度漂移。目前也有 全桥产品，但用法(目的)与霍尔器件略
有差异。据报导磁阻器件的响应速度同霍尔1uS量级。

实物图：

操作演示：BALLUFF巴鲁夫传感器BMF000F